
FRD芯片
晶圆尺寸:1700V = 1200V
深圳汇芯的FRD芯片有哪些突出特点?
第六代沟槽场终止(TFS)工艺是功率半导体技术的分水岭,实现了阻断电压、导通损耗和开关速度的最佳平衡,确立了硅 FRD 的最终技术水平。深圳汇芯利用这一工艺开发了其1200V 和 1700V产品系列,该系列产品采用统一的芯片尺寸,并由全球第六大晶圆代工厂华虹集团进行流片。
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FRD芯片
第六代沟槽场终止(TFS)工艺是功率半导体技术的分水岭,实现了阻断电压、导通损耗和开关速度的最佳平衡,确立了硅 FRD 的最终技术水平。深圳汇芯利用这一工艺开发了其1200V 和 1700V产品系列,该系列产品采用统一的芯片尺寸,并由全球第六大晶圆代工厂华虹集团进行流片。
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