芯片列表
NPT
非穿通式IGBT：
低成本
低频
高可靠性应用
TR/FS
战壕现场停止：
更高的系统效率
更小的设备尺寸
更强的过载和并行处理能力
总体成本降低
产品详情
[SYC20PN65WK] 650V 20A NPT IGBT芯片，低Vce(sat)，方形RBSOA，10μs短路，用于工业电机控制[SYC30PN65WK] 650V/30A，NPT IGBT芯片，具有低Vce(sat)和10μs短路时间，适用于电机驱动[SYC50PN65WK] 650V 50A NPT IGBT芯片，短路时间10μs，低Vce(sat)，适用于电机驱动和工业市场[SYC75PN65WK1] 650V 75A，非穿通型 IGBT芯片，低 VCE(sat)、10µs 短路能力和出色的热稳定性，适用于电机驱动、逆变器和工业电源系统[SYC100PN65WK] 650V 100A 快速IGBT芯片，低 VCE(sat)、快速开关性能和 10µs 短路能力，适用于逆变器、电机驱动器和工业电源系统[SYC50PN120WHF] 1200V 50A，NPT 超快速IGBT芯片，低 Vce(sat)、方形 RBSOA和短路时间10μs，用于焊接和高频功率应用[SYC50PN120WU] 1200V/50A，采用NPT超高速IGBT芯片，低Vce(sat)，10μs短路，用于焊接和切割设备[SYC75PN120WHF] 1200V 75A，采用NPT 快速IGBT芯片，低总偏置电压，10μs短路时间，适用于感应加热和高频电源管理[SYC75PN120WF] 1200V/75A，NPT 快速IGBT芯片，低总电位，10μs短路，适用于焊接、UPS等应用[SYC100PN120WHF] 1200V 100A，采用NPT快速IGBT芯片，低总电位，10μs短路，适用于焊接、感应加热等应用产品详情
[SYC150P120C4WK] 1200V 150A，沟槽型场截止IGBT芯片，超低Vce(sat)，10μs短路，适用于电机驱动，伺服驱动等[SYC100P120C4WK] 1200V 100A，采用Trench FS IGBT 芯片，超低Vce(sat)，10μs短路，适用于电机[SYC150P120C4WF] 1200V 150A，沟槽型场截止IGBT芯片，低关断能耗，适用于焊接，感应加热，和高频功率开关[SYC100P170C4WK] 1700V 100A，沟槽型场截止IGBT芯片，低Vce(sat)，10μs短路，适用于伺服驱动，以及高功率电机驱动[SYC150P120C4PF] 1200V 150A，沟槽型 FS IGBT 芯片，低 Eoff，适用于焊接和高频电源
[SYC150P170H4WK] 1700V 150A，沟槽型场截止IGBT芯片，低Vce(sat)，10μs短路，适用于电机驱动/UPS/风力涡轮机等[SYC200P170H4WK] 1700V 200A 沟槽式全向绝缘IGBT芯片，低Vce(sat)，10μs短路，适用于UPS、涡轮机等应用[SYC50P120H4WK] 1200V 50A，采用Trench FS IGBT芯片，低Vce(sat)，适用于电机和伺服驱动器[SYC50P120H4WF] 1200V 50A，采用沟槽 FS 型 IGBT芯片，低电阻，10μs短路，适用于电动汽车充电器、电池管理系统（BMS）。[SYC75P120G4WK1] 1200V 75A，使用沟槽型场截止IGBT芯片，低Vce(sat)，10μs短路，适用于伺服驱动器[SYC75P120G4WF1] 1200V 75A 沟槽式全向绝缘IGBT芯片，低关断能耗，10μs短路保护，适用于焊接和UPS[SYC100P120H4WHF] 1200V 100A，采用沟槽型场截止IGBT芯片，低关断能耗，10μs短路，适用于焊接机，感应加热等[SYC50P170H4WK] 1700V 50A，使用沟槽 FS 型 IGBT芯片，低Vce(sat)，10μs短路，适用于伺服驱动器，电机驱动等[SYC75P170G4WK2] 1700V 75A Trench FS IGBT chip, low Vce(sat), for motor & servo drives
