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![[SYC50P120H4WF] 1200V 50A,采用沟槽 FS 型 IGBT芯片,低电阻,10μs短路,适用于电动汽车充电器、电池管理系统(BMS)。](https://custom-images.strikinglycdn.com/res/hrscywv4p/image/upload/c_limit%2Cfl_lossy%2Ch_3000%2Cw_2000%2Cf_auto%2Cq_auto/23234143/876435_299059.png)
[SYC50P120H4WF] 1200V 50A,采用沟槽 FS 型 IGBT芯片,低电阻,10μs短路,适用于电动汽车充电器、电池管理系统(BMS)。
尺寸(英寸):8\n类型:标准\n电压(V):1200\n电流(A):50\n有效芯片数量:562\n详情:SYC50P120H4WF 是一款采用沟槽式 FS 技术的 1200V IGBT 芯片。它具有低开关阻抗、10μs 短路耐受性和并联能力,是电动汽车充电器 IGBT、电机驱动器和电池管理系统 (BMS) 应用的理想选择。


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作为一家创新型功率半导体供应商,深圳汇芯专注于先进功率器件的研发、制造和销售,提供高性能 IPM、IGBT、SiC 解决方案、MOSFET 及相关技术,应用于能源转换、电动汽车、工业自动化和可再生能源系统。