
IGBT单管
深圳汇芯的IGBT分立器件集成了整流、制动、驱动和保护功能,采用先进的CS沟槽技术和优化的晶圆结构。通过平衡饱和压降和开关损耗,满足客户的高效率需求。此外,深圳汇芯还通过严格的三层验证和筛选体系,进一步确保了产品的安全性、稳定性和可靠性。
为什么选择深圳汇芯的IGBT单管?
并联的续流二极管 (FRD) 对于 IGBT 至关重要,它能够传导无功负载电流、缩短电容充电时间并钳位瞬时负载反转引起的电压尖峰。IGBT分立器件模块通过将IGBT 芯片和快速恢复二极管 (FRD) 芯片封装在同一铜基板上来解决这一问题。为了跟上现代功率器件日益增长的开关速度,深圳汇芯特别为其 IGBT 搭配具有快速导通、快速关断和优化恢复特性的 FRD,从而实现更短的反向恢复时间 (trr)、更低的反向恢复电流 (IRRM) 和更柔和的恢复特性。
TO-220优势
这款IGBT分立器件集成了整流、制动、驱动和保护功能,采用先进的CS沟槽技术和优化的晶圆结构。通过完美平衡饱和压降和开关损耗,它满足了客户的高效率需求。此外,深圳汇芯还通过严格的三层验证和筛选体系,进一步确保了产品的安全性、稳定性和可靠性。
产品详情
SYD2065SLA:650V/20A IGBT,具有低饱和电压、低开关损耗和内置FRD,适用于UPS、PFC、电机驱动。
SYD3065SLA:650V/30A IGBT,具有低饱和电压、5μs 短路耐受能力,快速开关特性和内置FRD功能,适用于逆变器、UPS、PFC 和电机驱动。
SYD1565SL:650V/15A IGBT,具有低损耗、内置FRD和出色的并联性能,适用于UPS、PFC、电机控制。
SYD2065SLB:650V/20A IGBT,具有低饱和电压、低损耗和5μs短路耐受能力,内置快速恢复二极管,适用于UPS、PFC、电机控制。
SYD1565SLA:650V/15A IGBT,具有低损耗、正温度系数、内置FRD和出色的并联性能,适用于UPS、PFC、电机控制和电源等
SYD3065SLB:650V/30A IGBT,具有低饱和电压、高速开关和内置FRD功能,适用于逆变器、UPS、PFC等。TO-247优势
TO-247 封装本质上是 TO-220 封装的升级版,旨在支持更高的功率和电流额定值。它采用了更粗的引脚和更大的内部互连(键合线或铜夹),使其能够承载比 TO-220 高出数倍的电流。通过单螺钉安装机制,它可以牢固地连接到大型散热器上,因此成为风冷和基础液冷散热解决方案的首选。
产品详情
SYD2065SL:650V/20A IGBT,具有低损耗、快速开关、内置FRD、易于并联,适用于UPS、PFC、电机驱动等
SYD060Q065AY1S3:650V/60A沟槽式IGBT,超低VCE(sat),快速开关,耐高温,适用于太阳能转换器、UPS、焊接、高频功率半导体
SYD3065SLW:650V/30A IGBT,低 VCE(sat)、低导通/开关损耗、5μs 短路耐受,内置FRD功能,适用于逆变器、UPS、PFC和电机驱动
SYD4065RH1:650V/40A,采用IGBT晶体管,具有超低饱和电压和快速开关特性,适用于 PFC、电源等应用
SYD050Q065AY1S3:650V/50A,使用沟槽式 IGBT,低开关损耗,175°C结温,适用于太阳能转换器、UPS、焊接和高频功率半导体解决方案。
SYD075H065CX1S3:650V/75A 沟槽式 IGBT,低 VCE(sat),快速开关,175°C,适用于太阳能/UPS/焊接
SYD15H120ADB:1200V/15A,采用沟槽式 IGBT,具有低损耗,正温度系数,高可靠性,适用于太阳能系统,UPS,焊机等
SYD25H120ADB:1200V/25A,沟槽式 IGBT,符合 RoHS 标准,低饱和电压 (VCE(sat)),低损耗,正温度系数,适用于焊机/UPS
SYD40H120ADB:1200V/40A,沟槽式 IGBT,低饱和电压,低损耗,高可靠性,符合RoHS标准,适用于 UPS,太阳能逆变器等
SYD3N020WRH:1350V/20A RC IGBT,低损耗,软开关,无卤素,适用于电磁炉和转换器等
SYD40N120LN:1200V/40A沟槽式IGBT,低损耗,高耐用性,内置反并联二极管,适用于UPS/逆变器
SYD40N170TMA1:700V/40A 沟槽式 IGBT,低 VCEsat,高耐用性,10μs 短路耐受能力,适用于电动汽车充电
SYD75H120FNB:1200V/75A沟槽式IGBT,低损耗,10μs短路,符合RoHS标准,内置快速恢复二极管,适用于太阳能/UPS/焊接应用了解更多信息和报价,给我们发送邮件吧!
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