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SYD15H120ADB:1200V/15A,采用沟槽式 IGBT,具有低损耗,正温度系数,高可靠性,适用于太阳能系统,UPS,焊机等
封装:TO-247-3L\nVCE(SAT)@typ.Tj=25°C:1.85\nVGEth@typ.Tj=25°C:5.9\n详情:SYD15H120ADB 1200V 15A 场截止沟槽式IGBT,低VCE(SAT),低开关损耗,正温度系数,工作温度175°C,符合RoHS标准,适用于太阳能逆变器、焊机、UPS电源半导体解决方案。



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