封装：TO-247-3\nVCE(SAT)@typ.Tj=25°C: 1.9\nVGEth@typ.Tj=25°C: 5\n详情：SYD40N120LN 1200V 40A 沟槽式场截止 IGBT，低 VCE(sat)，低开关损耗，高短路耐受性，反并联二极管，175°C，符合 RoHS 标准，适用于 UPS、通用逆变器、高频转换器半导体解决方案。