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SYD75H120FNB：1200V/75A沟槽式IGBT，低损耗，10μs短路，符合RoHS标准，内置快速恢复二极管，适用于太阳能/UPS/焊接应用
封装：TO-247 Plus\nVCE(SAT)@typ.Tj=25°C: 1.85\nVGEth@typ.Tj=25°C: 5.7\n详情：SYD75H120FHB 1200V 75A 沟槽式场截止IGBT，低VCE(sat)，低开关损耗，10μs短路，快速恢复反并联二极管，150°C，符合RoHS标准，适用于太阳能逆变器、UPS、焊接机、PFC半导体。
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应用领域：
- 不间断电源 (UPS)
- 太阳能逆变器
- 逆变焊机
- 功率因数校正 (PFC)
特性：
- 低饱和导通电压 (VcE(sat)) 沟槽式 IGBT 技术
- 低开关损耗
- 10μs 短路安全工作区 (SOA)
- 方形反向平衡安全工作区 (RBSOA)
- 正饱和导通电压 (VcE(sat)) 温度系数
- 参数分布窄
- 低热阻
- 超快恢复反并联二极管
优势：
- 在广泛的应用范围内均具有高效率
- 由于低饱和导通电压 (VcE(sat)) 和低开关损耗，适用于广泛的开关频率
- 稳定的瞬态性能，提高可靠性
- 并联运行时具有出色的电流均分性能
封装尺寸图：
![[SYD75H120FNB] 1200V/75A trench IGBT, low loss, 10μs SC, fast recovery diode for solar/UPS/welding](http://custom-images.strikinglycdn.com/res/hrscywv4p/image/upload/c_limit,fl_lossy,h_9000,w_1200,f_auto,q_auto/23234143/684067_407813.png)