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SYMT100HF170T1VH：1700V/100A IGBT 模块符合RoHS标准，>10μs 短路能力，应用于逆变器、UPS、伺服驱动器和风力发电等领域
封装类型：62mm\nVCE(SAT)@typ.Tj=25°C: 6\nVGEth@typ.Tj=25°C: 2.4\n详细信息：SYMT100HF170T1VH 1700V 100A 场截止沟槽栅极 IGBT 模块具有 >10μs 短路能力、低 VCE(sat)、低开关损耗、4500V 隔离电压、符合 RoHS 标准，是逆变器、UPS、伺服驱动器和风力发电半导体解决方案的理想选择。
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应用领域：
- 工业逆变器
- 伺服应用
- UPS 系统
- 风力发电机
特性：
- Field Stop Trench Gate IGBT
- 短路保护时间 >10μs
- 低饱和电压
- 低开关损耗
- 100% RBSOA 测试 (2×IC)
- 低杂散电感
- 无铅，符合 RoHS 要求
封装尺寸 (Unit: mm):
![[SYMT100HF170T1VH] 1700V/100A IGBT module features low saturation voltage, low switching loss](http://custom-images.strikinglycdn.com/res/hrscywv4p/image/upload/c_limit,fl_lossy,h_9000,w_1200,f_auto,q_auto/23234143/694404_18009.png)