封装类型：62mm\nVCE(SAT)@typ.Tj=25°C: 5.9\nVGEth@typ.Tj=25°C: 1.7\n详细信息：SYMT150CU120T2VH-M 1200V 150A 现场停止沟槽栅极 IGBT 模块具有 >10μs 短路耐受时间、低 VCE(sat)、低损耗、低杂散电感、2500V 隔离电压、符合 RoHS 标准，是焊接、HEV 逆变器、UPS 和工业电机驱动半导体解决方案的理想选择。