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SYMT150HF120T1VH-SF:1200V/150A,沟槽型场截止IGBT模块,具有超低VCE(sat),适用于工业逆变器、焊接机、UPS、SMPS、感应加热和大功率转换应用
封装类型:34mm\nVCE(SAT)@typ.Tj=25°C: 5.7\nVGEth@typ.Tj=25°C: 1.7\n详情:现场停止沟槽栅极IGBT模块具有低导通损耗、快速开关性能、低杂散电感和高短路耐受能力,针对工业逆变器、焊接机、UPS、SMPS、感应加热和大功率转换应用进行了优化。



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