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SYMT200CU120T2VH：1200V/200A IGBT 模块，低VCE(sat)、低损耗、低杂散电感、符合RoHS标准，适用于焊接、混合动力汽车和工业驱动等
封装类型：62mm\nVCE(SAT)@typ.Tj=25°C: 6\nVGEth@typ.Tj=25°C: 3.15\n详细信息：SYMT200CU120T2VH-M 1200V 200A 现场停止沟槽栅极 IGBT 模块具有 >10μs 短路耐受时间、低 VCE(sat)、低损耗、低杂散电感、2500V 隔离电压、符合 RoHS 标准，是焊接、HEV 逆变器、UPS、制动斩波器和工业电机驱动半导体解决方案的理想选择。
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应用领域：
- 焊接
- 混合动力汽车逆变器
- 工业电机驱动
- UPS（不间断电源）
特性：
- 场截止型IGBT
- 短路保护时间 >10μs
- 低饱和电压
- 低开关损耗
- 100% RBSOA测试（2×IC）
- 低杂散电感
- 无铅，符合RoHS要求
封装尺寸图 (Unit: mm):
![[SYMT200CU120T2VH] 1200V/200A IGBT module for welding, HEV and industrial drive](http://custom-images.strikinglycdn.com/res/hrscywv4p/image/upload/c_limit,fl_lossy,h_9000,w_1200,f_auto,q_auto/23234143/694404_18009.png)