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SYMT200FF120T6H-M：1200V/200A IGBT 模块，低 VCE(sat)，内置NTC热敏电阻，RoHS标准，适用工业逆变器、伺服驱动和大功率半导体器件。
封装类型：Econo3\nVCE(SAT)@typ.Tj=25°C: 1.7\nVGEth@typ.Tj=25°C: 5.6\n详细信息：SYMT200FF120T6H-M 1200V 200A 现场停止沟槽栅极 IGBT 模块具有 >10μs 短路耐受时间、低 VCE(sat)、低开关损耗、低杂散电感、NTC 热敏电阻、2500V 隔离电压、符合 RoHS 标准，是工业逆变器、伺服驱动器和大功率半导体解决方案的理想选择。
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应用领域：
- 工业逆变器
- 伺服应用
特性：
- 短路保护时间 >10μs
- 非穿通 (NPT) 技术
- 低饱和电压
- 低开关损耗
- 100% RBSOA 测试 (2×IC)
- 低杂散电感
- 无铅，符合 RoHS 要求
封装尺寸图 (Unit: mm):
![[SYMT200FF120T6H-M]](http://custom-images.strikinglycdn.com/res/hrscywv4p/image/upload/c_limit,fl_lossy,h_9000,w_1200,f_auto,q_auto/23234143/427716_537181.png)