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SYMT50PI120T6H-M：1200V/50A IGBT模块，低VCE(sat)，内置NTC热敏电阻，无卤素，适用于工业逆变器、伺服驱动、制动斩波器和整流器等
封装类型：Econo2\nVCE(SAT)@typ.Tj=25°C: 1.7\nVGEth@typ.Tj=25°C: 5.6\n详细信息：SYMT50PI120T6H-M 1200V 50A 现场停止沟槽栅极 IGBT 模块具有 >10μs 短路耐受时间、低 VCE(sat)、低损耗、低杂散电感、NTC 热敏电阻、2500V 隔离电压、符合 RoHS 标准，是工业逆变器、伺服驱动器、制动斩波器和整流器半导体解决方案的理想选择。
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应用领域：
- 工业逆变器
- 伺服应用
特性：
- 场截止型栅极IGBT
- 短路保护时间 >10μs
- 低饱和电压
- 低开关损耗
- 100% RBSOA测试（2×IC）
- 低杂散电感
- 无铅，符合RoHS要求
封装尺寸 (Unit: mm):
