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SYSD120N040BH:1200V 40mΩ SiC MOSFET,AEC-Q101,快速开关,适用于汽车电源转换器
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SYSD120N040BH:1200V 40mΩ SiC MOSFET,AEC-Q101,快速开关,适用于汽车电源转换器

封装:TO-247-3L\n电压(V):1200\n导通电阻(RDS(ON)),典型值:60\n详情:SYSD120N040BH 是一款车规级 1200V SiC MOSFET,具有超低的 40mΩ 导通电阻 (RDS(on))。它具有快速开关特性、符合 AEC-Q101 标准和耐高温性能,是电动汽车转换器和工业电源的理想选择。
Specification
Specification
更多详情

应用:

  • 非对称桥式转换器
  • 逆变器
  • 单开关正激反激式转换器

特性:

  • 低漏源导通电阻:RDS(ON)=40mΩ(典型值)
  • 易于控制的栅极开关
  • 增强模式:Vth = 2 至 4V
  • 符合 AEC-Q101 标准
 

 

[SYSD120N040BH] 1200V 40mΩ SiC MOSFET,AEC-Q101,快速开关,适用于汽车电源转换器

 

封装尺寸及电路图:

[SYSD120N040BH] 1200V 40mΩ SiC MOSFET, AEC-Q101, fast switching, for automotive power converters

 

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