封装：TO-247-3L/4L\n电压(V)：1700\nRDS(ON), TYP：22mΩ\n详情：SYSD170N022AG1 是一款 1700V 大功率 SiC MOSFET，具有超低的 22mΩ 导通电阻 (RDS(on))。它具有快速开关、低栅极电荷和符合 RoHS 标准的特性，是工业高压逆变器和可再生能源应用的理想选择。